忆联发布数据中心级SSDUH711a,E3.S形态单盘容量最高15.36

IT之家 柳暮雪 2022-12-27 11:16  阅读量:17794   

,亿联今天发布了数据中心级NVMe SSD——UH711a和UH711a E3的表格该系列产品采用自研控制器和长江存储128L 3D NAND,专为数据中心级业务场景设计其中UH711a单盘容量高达7.68TB

据易联介绍,UH711a支持PCIE Gen4接口,可为数据中心级业务场景和工作负载IO模型提供多种场景下的全面性能优化能力,产品顺序读写性能7200/4500 MB/s,随机读写性能1700/230K IOPS同时,针对互联网典型应用场景,UH711a采用软化架构设计,优化IO路径DB,FSP,HAS,LDPC的硬件资源分配,提高后端NAND粒子的并发效率,保证互联网典型应用场景下磁盘的性能

据介绍,UH711a通过SR—IOV技术优化了云服务的虚拟机场景SR—IOV2.0进一步优化了Nand物理层的隔离程度,VF之间的隔离程度更好伴随着隔离度的提高,在纯读写和混合场景下分别优化到3%和5%目前,内存链接SR—IOV的性能和隔离度已经达到业界第一

该产品采用了全新的K—mean智能聚类算法,提供了更细粒度的数据类型识别,进一步提高了GC的效率,使SSD系统性能提升高达20%通过将两种数据写入磁盘内部的不同流,降低了磁盘的写放大倍数,提高了整个生命周期的稳态性能,保证了产品在生命周期后期的可靠性此外,UH711a还支持DIF,NS管理等OCP2.0规范,不仅可以配合系统实现端到端保护,还可以在磁盘中实现独立的端到端保护机制

此外,亿联表示,依托公司自主密封测试技术,通过启用自密封TLC介质,UH711a可以大大降低介质的应用成本,挖掘介质的原生潜力,在不牺牲性能和可靠性的情况下提供更好的IO性能。

本站了解到,亿联也推出了UH711a E3s形式,长112.75mm,宽76mm,厚7.5mm,单盘容量高达15.36TB,使用新形式后支持NVMe 1.4,产品顺序读写性能高达7200/4400 MB/s,随机读写性能高达1700/240K IOPS该系列产品将于2023年量产

郑重声明:此文内容为本网站转载企业宣传资讯,目的在于传播更多信息,与本站立场无关。仅供读者参考,并请自行核实相关内容。